与国际先进技术同步、将在未来30年内统治存储市场的、中国首个拥有自主知识产权的存储芯片相变存储器将在明年实现宁波造。
1月18日，相变存储器项目签约仪式在宁波南苑环球酒店举行，总投资达到47.5亿美元的相变存储器项目将落户鄞州区姜山镇的鄞州工业园区。
据介绍，这是相变存储技术在中国的首个产业化应用项目，预计明年6月开始投产，最终形成系列化产品，推动宁波成为中国第一个拥有自主知识产权的存储芯片的制造基地和在全球半导体产业界具有广泛影响力的大型基地。
“这个项目达产后，我们将有上百名的博士在宁波基地开展工作和研究，届时宁波将成为存储芯片的一个智慧高地。”生产商、北京全芯科技公司总裁邓万新博士说。
从CPU到内存条到闪存，存储技术已经发生了翻天覆地的变化，硬盘、U盘、FT卡等是我们常见的存储产品。但不久这些存储商品就将被一种全新的存储技术所淘汰。取而代之的是相变存储器（简称PCM）。
据中国科学院外籍院士、美国工程院院士、耶鲁大学教授、北京全芯科技董事长马佐平（祖籍浙江）介绍，与现有的存储芯片相比，全芯科技所掌握的相变存储技术存储速度快1000倍，耐久性多1万倍，而且体积更小，也更省电。“相变存储器是未来发展方向，将逐步取代闪存、磁盘等，应用范围也非常广泛，将是未来30年最关键的电子产品。”马佐平说。
延伸阅读
相变储存技术及其应用
“相（phase）”是物理化学上的一个概念，是指物体的化学性质完全相同，但物理性质发生变化的不同状态，例如水的三种状态水蒸气（汽相）、液态水（液相）和冰（固相）。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做“相变”。
很多物质的相变过程很复杂，相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据，所以被称为“相变存储器”。
相变存储技术最早起源于美国科学家在20世纪50年代的研究，后来IBM进行了深入研究，并开发出多位相位储存芯片，使其具备了产业化的基础。
由美国国家工程院院士领衔的世界领先的半导体专家和企业家创立了美国全芯科技公司，随后在北京设立了北京全芯科技公司，与中国科学家一起开展相变存储技术的攻关和应用攻关，目前已积累了一定的自主知识产权，并具备了产业化量产的条件。
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